Datasheet下载- 型号： PBHV9115X,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV9115X,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV9115X,115价格参考。NXP SemiconductorsPBHV9115X,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBHV9115X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBHV9115X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBHV9115X,115 的晶体管属于双极型晶体管（BJT）- 单一类别，其应用场景主要包括以下方面： 1. 开关应用：PBHV9115X,115 是一种高频、高压的 NPN 晶体管，适用于各种开关电路。例如，在继电器驱动、LED 驱动和电机控制等场景中，该晶体管可以用作高效的电子开关。 2. 信号放大：由于其良好的增益特性和频率响应，这款晶体管可以用于音频放大器、射频（RF）信号放大器和其他需要信号放大的设备中。它能够提供稳定的增益性能，适合低噪声和高保真度的应用。 3. 电源管理：在直流-直流转换器、线性稳压器等电源管理电路中，PBHV9115X,115 可以作为关键元件，用于调节电流或电压输出，确保系统稳定运行。 4. 保护电路：该晶体管可用于过流保护、短路保护等安全电路设计中，通过快速响应异常电流变化来保护其他敏感电子元件。 5. 通信设备：凭借其出色的高频特性，PBHV9115X,115 适合应用于无线通信模块、调制解调器以及其他需要处理高频信号的设备中。 6. 工业自动化：在工业控制领域，这款晶体管可以集成到传感器接口、可编程逻辑控制器（PLC）和其他自动化设备中，实现精确的信号处理与控制功能。 综上所述，PBHV9115X,115 主要应用于需要高效开关、信号放大、电源管理和高频信号处理的各种电子设备和系统中，广泛覆盖消费电子、工业控制及通信技术等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 150V 1A SOT89两极晶体管 - BJT 150V 1A PNP HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV9115X,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBHV9115X,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-6383-2 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 115 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 220 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 200 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 115MHz |
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