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详细数据请看参考数据手册
- 型号： ON5452,518
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ON5452,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ON5452,518价格参考。NXP SemiconductorsON5452,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ON5452,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ON5452,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON5452/518（NXP USA Inc.）是一款专为射频（RF）应用设计的N沟道增强型MOSFET，采用SOT363（SC-88）小型封装，具备低栅极电荷、快速开关特性及良好的RF增益与效率平衡。其典型应用场景包括： 1. 手机及便携式通信设备中的RF前端开关：用于天线切换（Antenna Switching）、模式切换（如LTE/Wi-Fi/BT共存时的TX/RX路径选择），支持高频段（最高达2.7 GHz）操作； 2. 高集成度射频模块中的单刀双掷（SPDT）或单刀多掷（SPnT）开关：凭借低插入损耗（典型0.35 dB @ 900 MHz）和高隔离度（>30 dB @ 2.4 GHz），提升多模多频系统性能； 3. 物联网（IoT）终端与可穿戴设备的低功耗RF开关：工作电压低（1.8–3.3 V），静态电流极小，适合电池供电场景； 4. 无线基础设施辅助电路：如小基站（Small Cell）中的监控/校准通路切换，非主功率放大路径。 需注意：该器件非功率放大器（PA）管芯，不适用于高功率输出级；其最大连续漏极电流仅约200 mA，主要承担信号路由功能。设计中需配合匹配网络优化阻抗，并注意ESD防护（HBM >2 kV）。 综上，ON5452/518是面向紧凑型、多频段、低功耗无线终端的高性能RF开关解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 20SOIC |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | ON5452,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 934063298518 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | - |
| 晶体管类型 | - |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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