Datasheet下载- 型号： NX3008PBKV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008PBKV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008PBKV,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3008PBKV,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NX3008PBKV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008PBKV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX3008PBKV,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 P 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用小型无铅 X2SON-6 封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 95 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低阈值电压（VGS(th) ≈ –0.9 V）及高静电防护能力（HBM ±2 kV），适用于空间受限、需高效低压控制的便携式电子系统。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理——如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的电池充放电路径切换与反向电流阻断； ✅ 负载开关（Load Switch）——用于为外设（如传感器、LED、SIM 卡模块）提供受控上电/断电，实现低功耗待机与快速唤醒； ✅ 逻辑电平转换与信号双向开关——利用其低导通压降与对称结构，支持 I²C、GPIO 等低电压总线的隔离与电平适配； ✅ H 桥或半桥驱动中的同步整流辅助开关——常与 N 沟道 MOSFET 搭配，优化 DC-DC 转换器或电机驱动电路效率； ✅ USB Type-C 接口保护与多路复用——在紧凑型接口中实现 VBUS 控制、CC 引脚切换及过流防护。 该器件支持 1.8 V–5.5 V 宽逻辑兼容输入，具备 100% 100% ESD 测试通过率，符合 AEC-Q101（部分批次），亦可用于工业 IoT 节点等高可靠性场景。其微型封装（1.0 × 1.0 mm）特别适合 PCB 面积敏感设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666MOSFET 30V 220 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 220 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 220 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008PBKV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3008PBKV,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1090 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.09 W |
| Qg-GateCharge | 0.55 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.55 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10502-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 160 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 220 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 220mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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