【未分类_NVTP2955G】封装/厂家_NVTP2955G中文资料_价格

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型号： NVTP2955G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NVTP2955G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTP2955G价格参考。ON SemiconductorNVTP2955G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NVTP2955G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVTP2955G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的NVTP2955G是一款P沟道增强型逻辑电平MOSFET（单个），采用SOT-223封装，具有-60V VDS、-3.8A ID（连续）、低导通电阻（RDS(on)典型值为140mΩ @ VGS = -10V，220mΩ @ VGS = -4.5V），支持逻辑电平驱动（VGS(th)约-1.0V至-2.5V）。

其典型应用场景包括：  
✅ 负载开关：常用于电源管理电路中，实现对后级电路（如传感器、MCU外围模块、LED驱动等）的高效通断控制，尤其适用于3.3V/5V微控制器直接驱动（无需电平转换或驱动IC）。  
✅ 反向电压保护（Reverse Polarity Protection）：在电池供电设备（如便携式仪表、IoT终端）中，将其置于输入端，利用P-MOSFET体二极管方向特性与栅极控制，可有效防止电源反接损坏系统。  
✅ DC-DC转换器次级侧同步整流（辅助应用）：虽非主功率器件，但在小电流、低压差DC-DC（如LDO替代方案或Buck续流路径优化）中可提升效率。  
✅ 电机/继电器驱动的上桥臂或使能控制：配合N-MOSFET构成H桥或半桥，或单独用于小型直流电机/电磁阀的关断控制。  

该器件具备良好的热性能（SOT-223可焊盘散热）、高雪崩耐量及AEC-Q101可靠性认证（部分批次），适用于工业控制、汽车电子（如车身模块、座椅控制）、消费类电源和嵌入式电源管理等对可靠性与空间有要求的场景。注意设计时需合理布局散热焊盘并校验驱动能力与开关速度需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	POWER MOSFET 60V 12A 196MOSFET POWER MOSFET 60V 12A 196
产品分类	FET - 单分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	- 12 A
Id-连续漏极电流	- 12 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册
产品图片
rohs	否无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVTP2955G-
数据手册
产品型号	NVTP2955G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	62.5 W
Pd-功率耗散	62.5 W
Qg-GateCharge	14 nC
Qg-栅极电荷	14 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	156 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	156 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 60 V
Vds-漏源极击穿电压	- 60 V
上升时间	80 ns
下降时间	85 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	47 ns
商标	ON Semiconductor
安装风格	Through Hole
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	6 S
配置	Single