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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NVTP2955G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVTP2955G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTP2955G价格参考。ON SemiconductorNVTP2955G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVTP2955G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVTP2955G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | POWER MOSFET 60V 12A 196MOSFET POWER MOSFET 60V 12A 196 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVTP2955G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVTP2955G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 62.5 W |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 156 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 156 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 85 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 配置 | Single |
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