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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NVF2201NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVF2201NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVF2201NT1G价格参考。ON SemiconductorNVF2201NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVF2201NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVF2201NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NVF2201NT1G是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为0.25Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈2.3nC）和快速开关特性。其额定电压为20V，连续漏极电流达2.2A（Tc=25℃），适合低压、中低功率场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB接口过流保护； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率； ✅ 电池供电系统保护电路：用于电池充放电路径控制、反向电流阻断及电子保险丝（eFuse）功能； ✅ 小型电机驱动：驱动微型直流电机（如振动马达、风扇）或继电器线圈，利用其逻辑电平兼容性（Vgs(th)低至0.5V，可被1.8V/3.3V MCU直接驱动）； ✅ LED照明恒流控制：在低压LED灯串调光或驱动电路中作开关元件。 该器件具备ESD防护（HBM 2kV）、无铅且符合RoHS标准，适用于空间受限、高能效要求的消费类与工业嵌入式应用。需注意PCB布局时优化散热（SOT-23热阻较高），并避免持续满载工作以保障可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 0.3A SC70 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVF2201NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 300mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
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