Datasheet下载- 型号： NTTS2P02R2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTS2P02R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTS2P02R2价格参考。ON SemiconductorNTTS2P02R2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTTS2P02R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTTS2P02R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTTS2P02R2 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型Trench MOSFET，采用小型DFN2020-6（2.0×2.0 mm）封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.2 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 11 nC）和高开关效率，适用于空间受限、高能效的低压直流应用。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的电池保护电路、负载开关或反向电流阻断（利用P-MOSFET天然的体二极管方向特性）； ✅ USB Type-C接口电源路径控制：在PD协议供电系统中实现输入电源优先级切换与过流/短路保护； ✅ DC-DC转换器同步整流：作为低压侧同步整流管（需配合控制器），提升降压转换效率（尤其在1–5 V输出场景）； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小电流LED串的PWM调光开关，响应快、功耗低； ✅ 工业与IoT终端的板级电源隔离：在MCU或传感器供电支路中实现受控上电/断电（Enable控制），降低待机功耗。 该器件额定电压为–20 V，连续漏极电流达7.5 A（TC=25°C），具备100%无铅、符合RoHS及AEC-Q101可靠性标准（部分版本），亦适用于车规级辅助系统（如座舱照明、传感器模块）。其小尺寸与高功率密度特别适合高集成度PCB设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTTS2P02R2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | NTTS2P02R2OS |
| 功率-最大值 | 780mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTTS2P02R2 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商