【未分类_NTMSD2P102R2SG】封装/厂家_NTMSD2P102R2SG中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： NTMSD2P102R2SG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMSD2P102R2SG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMSD2P102R2SG价格参考。ON SemiconductorNTMSD2P102R2SG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTMSD2P102R2SG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMSD2P102R2SG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMSD2P102R2SG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为102mΩ @ Vgs = –4.5V）、额定电压–20V、连续漏极电流–3.5A（Tc=25°C），具备ESD保护与无铅/符合RoHS标准。

其主要应用场景包括：  
✅ 负载开关：常用于便携式设备（如智能手机、平板、TWS耳机）的电源管理模块中，作为电池后端或USB供电路径的高效、低损耗开关，实现系统供电的启停控制与反向电流阻断。  
✅ 电源反接保护：利用P-MOSFET的体二极管方向特性，可低成本实现输入端防反接设计，广泛应用于工业传感器、POS终端、IoT节点等低压直流供电系统。  
✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中，作为同步整流管（尤其在低输出电压应用中），提升转换效率并减小温升。  
✅ H桥驱动/电机控制：适用于小型有刷直流电机或步进电机的低端/高端驱动（需配合逻辑电平兼容驱动电路），常见于打印机、扫地机器人、智能门锁等微型机电系统。  

该器件支持逻辑电平驱动（–1.8V至–4.5V即可充分导通），开关速度快、栅极电荷低，适合高频率PWM控制，且SO-8封装便于布局与热管理。综合性能兼顾效率、成本与可靠性，是中低功率、空间受限型嵌入式电源设计的理想选型之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
产品分类	FET - 单
FET功能	二极管（隔离式）
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	NTMSD2P102R2SG
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	-
不同Vds时的输入电容(Ciss)	750pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	18nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	90 毫欧 @ 2.4A，4.5V
供应商器件封装	8-SOIC N
功率-最大值	710mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.3A （Ta）