Datasheet下载- 型号： NTMSD2P102LR2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMSD2P102LR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMSD2P102LR2价格参考。ON SemiconductorNTMSD2P102LR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMSD2P102LR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMSD2P102LR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMSD2P102LR2 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为102mΩ @ Vgs = –4.5V）、额定电压–20V、连续漏极电流–3.5A（Tc=25°C），具备ESD保护和无铅/符合RoHS标准。 其典型应用场景包括： ✅ 负载开关：常用于便携式设备（如智能手机、平板、TWS耳机）中的电源域控制，实现低功耗待机管理与快速启停； ✅ 电池保护电路：在锂电池供电系统中作为充放电路径的反向阻断或过流保护开关（如配合保护IC控制充电回路）； ✅ DC-DC转换器同步整流：适用于降压型（Buck）转换器的下管（low-side switch），提升转换效率； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小功率LED阵列的PWM调光开关，响应快、损耗低； ✅ H桥电机驱动：可作为H桥中的一臂（尤其适用于低压小功率有刷直流电机，如风扇、微型泵等）。 该器件因低阈值电压（Vgs(th)约–0.7V至–1.3V）、小封装及高可靠性，特别适合空间受限、需高效能与低静态功耗的电池供电或嵌入式系统。注意设计时需确保栅极驱动满足负压关断要求，并合理布局散热路径以保障持续负载能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMSD2P102LR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FETKY™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMSD2P102LR2OS |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Ta） |
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