Datasheet下载- 型号： NTMS4706NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4706NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4706NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4706NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4706NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4706NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4706NR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 28 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 9.5 A连续，18 A脉冲）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的高效电源管理模块。 2. 负载开关与电源路径管理：凭借低RDS(on)和逻辑电平驱动能力（VGS(th) ≈ 1–2.5 V），适合用作主板或电池供电系统中的智能负载开关，实现电源上电时序控制、过流保护及热插拔管理。 3. 电机驱动与LED驱动：适用于小功率有刷直流电机（如风扇、打印机步进电机驱动H桥的低端侧）及中等亮度LED背光/照明的PWM调光开关。 4. 工业与消费类接口保护：在USB供电、Type-C PD适配器、PoE受电端（PD）等应用中，作为反向电流阻断或过压/过流保护电路的主控开关。 该器件具备无铅、符合RoHS标准，且内置ESD保护（HBM ≥ 2 kV），可靠性高，适用于空间受限、强调能效与热性能的中低压（≤30 V输入）系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS4706NR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 10.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.4A （Ta） |
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