Datasheet下载- 型号： NTMS4700NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4700NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4700NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4700NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4700NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4700NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4700NR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅28 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（Id=9.5A连续，脉冲达40A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的板载电源管理模块； - 负载开关与电源路径管理：在USB供电、电池充电电路或热插拔应用中，作为高效、低损耗的电源通断控制开关； - 电机驱动：适用于小功率直流电机（如风扇、微型泵）的H桥或单路驱动中的功率开关； - LED驱动与背光控制：用于中等电流LED恒流调光或区域背光驱动的PWM开关； - 工业与消费类电子：如打印机电源、智能电表、IoT节点电源管理等对效率、尺寸和可靠性有要求的场景。 该器件具备100%通过Rg测试、无铅且符合RoHS标准，支持表面贴装自动化生产，适合高密度PCB设计。需注意其栅极阈值电压（Vgs(th)≈1–2.5V）较低，设计时应避免噪声误触发，并建议使用足够驱动能力的栅极驱动器以确保快速开关、降低动态损耗。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS4700NR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMS4700NR2GOS |
| 功率-最大值 | 860mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.6A （Ta） |
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