Datasheet下载- 型号： NTMFS5834NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS5834NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS5834NLT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS5834NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS5834NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS5834NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS5834NLT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8FL（PowerTDFN）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.2 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID最大60A）、快速开关特性及优异的热性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； ✅ 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、主板VRM、GPU供电等场景中用作高效高侧/低侧开关，支持快速启停与过流保护； ✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动模块，满足高频PWM调速需求； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主回路开关，配合保护IC实现过流、短路保护； ✅ LED照明驱动：在高效率恒流驱动方案中作为调光或开关元件，支持高频率PWM调光。 该器件具备雪崩额定能力、100% Rg测试及无铅/符合RoHS标准，适用于高可靠性、高功率密度的设计。需注意PCB布局时优化散热焊盘设计，并合理配置栅极驱动以抑制振铃、确保开关稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMFS5834NLT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1231pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 75A （Tc） |
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