Datasheet下载- 型号： NTMFS4839NHT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4839NHT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4839NHT3G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4839NHT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4839NHT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4839NHT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4839NHT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用5×6 mm² SO-8FL（TDFN）封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.7 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 112 A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： 1. 服务器与通信电源系统：用于DC-DC同步整流、VRM（电压调节模块）和POL（负载点）转换器，提升能效并降低温升； 2. 工业电源与电机驱动：适用于大电流开关电路、H桥驱动及UPS逆变器中的主/续流开关； 3. 汽车电子：满足AEC-Q101认证，可用于车载DC/DC变换器、电池管理系统（BMS）保护电路、LED车灯驱动等严苛环境； 4. 计算设备与GPU供电：在高端显卡、AI加速卡的多相供电中作为上管或下管，支持高频（可达1 MHz以上）高效切换； 5. 便携式设备电源管理：如大功率PD快充适配器的同步整流级，兼顾小尺寸与高效率。 该器件集成低Qg与快速开关特性，配合优化的栅极电荷，可显著降低开关损耗，适用于高密度、高可靠性要求的中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMFS4839NHT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2354pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 功率-最大值 | 870mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta）， 64A （Tc） |
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