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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUS3A18PZCTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUS3A18PZCTAG价格参考。ON SemiconductorNTLUS3A18PZCTAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLUS3A18PZCTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLUS3A18PZCTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLUS3A18PZCTAG 是安森美(ON Semiconductor)推出的P沟道增强型MOSFET,采用超小型无铅封装(X1-DFN1006-3),典型导通电阻Rds(on)低至240 mΩ(VGS = –4.5 V),最大额定电压为–20 V,连续漏极电流ID为–780 mA(Ta = 25°C)。其小尺寸、低功耗与逻辑电平驱动特性,使其特别适用于空间受限、电池供电的便携式电子设备。 典型应用场景包括: ✅ 负载开关:在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中用于电源域隔离与上电时序控制,实现低静态电流关断; ✅ 电池保护电路:配合保护IC,作为充放电回路中的反向阻断开关(如防止电池反接或过放时切断放电路径); ✅ LED驱动与背光控制:在小型LCD/OLED显示屏中驱动背光LED串的阴极侧调光开关; ✅ USB接口电源管理:用于USB Type-C端口的VBUS开关或限流保护模块; ✅ DC-DC转换器同步整流辅助开关:在微型降压(Buck)转换器中作高边/低边辅助开关(需注意其P沟道特性及电压裕量)。 该器件具备ESD防护(HBM ≥ 2 kV)、100% Rg测试及符合AEC-Q200(车载适用)标准(注:具体版本需查证数据手册标注),亦可用于轻量级车载电子(如座舱传感器、LED氛围灯控制)。其DFN1006封装支持全自动贴片,适合高密度PCB设计。实际应用中需注意栅极驱动电压兼容性(推荐VGS ≤ –4.5 V以确保充分导通)及PCB散热设计(虽功率较低,但小封装热阻较高)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTLUS3A18PZCTAG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |