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- 型号： NTLJS4159NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJS4159NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJS4159NT1G价格参考。ON SemiconductorNTLJS4159NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJS4159NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJS4159NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJS4159NT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型无铅封装（X1-DFN1006-3），典型导通电阻Rds(on)低至280 mΩ（VGS = −4.5 V），阈值电压VGS(th)约为−0.7 V至−1.3 V，最大漏源电压VDS = −20 V，连续漏极电流ID = −0.7 A（Ta=25°C）。其小尺寸、低功耗与逻辑电平驱动特性，使其特别适用于空间受限、电池供电的便携式电子设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：作为负载开关（Load Switch），用于智能手表、TWS耳机、可穿戴设备中的系统电源通断控制，实现低静态电流与快速关断； 2. 电池保护电路：在单节锂离子/聚合物电池应用中，配合保护IC实现充放电路径控制或反向电流阻断； 3. LED驱动与背光控制：驱动小型LED指示灯或OLED显示屏背光，支持PWM调光； 4. 接口保护与电平转换辅助电路：如USB、I²C等信号线的上拉/下拉开关或热插拔保护； 5. 物联网终端节点：用于传感器模块的电源门控，延长纽扣电池寿命。 该器件无需外部驱动电路即可被1.8 V/3.3 V MCU GPIO直接控制，兼具高可靠性与AEC-Q200兼容性（部分批次），亦适用于工业与汽车电子中的非安全关键低压控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJS4159NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1045pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
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