【未分类_NTLJS3A18PZTXG】封装/厂家_NTLJS3A18PZTXG中文资料_价格

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型号： NTLJS3A18PZTXG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJS3A18PZTXG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJS3A18PZTXG价格参考。ON SemiconductorNTLJS3A18PZTXG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTLJS3A18PZTXG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJS3A18PZTXG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTLJS3A18PZTXG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用超小型无铅DFN0603封装（0.6×0.3 mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.8 Ω @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.7 nC）和超低功耗特性。其额定电压为–20 V，连续漏极电流ID为–0.7 A（@ TA=25°C），适合低压、小电流、空间受限的便携式电子系统。

主要应用场景包括：  
✅ 便携式设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或USB端口过流/反向阻断；  
✅ LED驱动与背光控制：用于小型OLED/LCD显示屏的阴极侧调光开关，实现高效、快速关断；  
✅ 逻辑电平转换与信号切换：在3.3 V/1.8 V低电压系统中作为电平移位开关或GPIO驱动缓冲器；  
✅ 可穿戴与IoT传感器节点：在电池供电的微型传感器模块中用作电源通断控制（如MCU休眠唤醒时切断外设供电），显著降低静态功耗；  
✅ DC-DC转换器同步整流：在微型升压/降压模块中作为续流路径开关（需配合控制器），提升轻载效率。

该器件凭借超小尺寸、高可靠性（AEC-Q200兼容）及优异的热性能（θJA ≈ 300°C/W），特别适用于对PCB面积、能效和长期稳定性要求严苛的消费类与工业级微型化设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NTLJS3A18PZTXG
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2240pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	28nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	18 毫欧 @ 7A，4.5V
供应商器件封装	*
功率-最大值	700mW
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
标准包装	10,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5A （Ta）