Datasheet下载- 型号： NTHS4111PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHS4111PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHS4111PT1G价格参考。ON SemiconductorNTHS4111PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHS4111PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHS4111PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHS4111PT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用超小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅85 mΩ @ VGS = –4.5 V）、快速开关特性及优异的热性能。其额定电压为–20 V，连续漏极电流达–3.5 A（Tc = 25°C），适用于低压、高效率、空间受限的便携式与电池供电系统。 典型应用场景包括： ✅ 电池保护电路：用于锂电池组中的充放电保护IC后级，实现过流/短路保护时的高速关断； ✅ 负载开关（Load Switch）：在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中控制外设电源（如传感器、LED、USB接口）的启停，降低待机功耗； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管（尤其在低输入电压段），提升转换效率； ✅ H桥驱动与电机控制：配合N沟道MOSFET构成半桥，驱动微型直流电机或振动马达（如手机触觉反馈）； ✅ 电源多路复用（Power MUX）：在双电源（如USB + 电池）系统中实现无缝切换与反向电流阻断。 该器件具备100%无铅、符合RoHS及AEC-Q101可靠性标准（部分批次），亦适用于汽车电子辅助模块（如车身控制、照明驱动）。其小尺寸与低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）特别适合高频、低功耗、紧凑型设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHS4111PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHS4111PT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A （Ta） |
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