Datasheet下载- 型号： NTD95N02R-001
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD95N02R-001由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD95N02R-001价格参考。ON SemiconductorNTD95N02R-001封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD95N02R-001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD95N02R-001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD95N02R-001 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 95 A）和20 V额定电压，适用于低压、大电流开关场景。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：在同步降压（Buck）转换器中作主开关或同步整流管，尤其适用于服务器/通信设备的12 V输入、1–5 V输出供电模块，可提升效率并降低温升。 ✅ 电机驱动：用于中小功率有刷直流电机（如风扇、泵、电动工具）的H桥或单向驱动电路，支持高频PWM调速与快速开关（ton/toff 约数十纳秒）。 ✅ 负载开关与电源管理：在主板、工控板或嵌入式系统中实现热插拔保护、电池充放电路径控制或外设电源使能，利用其低RDS(on)减小压降与功耗。 ✅ LED照明驱动：作为恒流调光开关，配合电流检测电路实现PWM调光，满足高可靠性与长寿命要求。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），增强系统鲁棒性；符合RoHS，适合工业级温度范围（–55°C 至 +175°C结温）。需注意PCB布局散热设计（建议大面积覆铜焊盘）及栅极驱动匹配（推荐10–12 V驱动以确保充分导通）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD95N02R-001 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 32A （Tc） |
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