Datasheet下载- 型号： NTD60N02RT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD60N02RT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD60N02RT4价格参考。ON SemiconductorNTD60N02RT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD60N02RT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD60N02RT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD60N02RT4 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = 20 V、ID（连续）= 60 A（TC = 25°C）、RDS(on) ≈ 3.5 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通电阻、快速开关特性及良好热稳定性。 该器件主要应用于中低压、大电流直流电源管理场景，典型用途包括： ✅ DC-DC转换器（如Buck降压电路中的同步整流管或主开关管），适用于通信电源、工业电源模块； ✅ 电机驱动电路（如小型直流有刷电机、步进电机的H桥驱动下臂/上臂开关），常见于电动工具、家电（吸尘器、风扇）及机器人执行单元； ✅ 负载开关与电源路径管理，例如USB供电切换、电池充放电保护电路、电子保险丝（eFuse）等； ✅ LED驱动电源（恒流/恒压控制回路中的功率开关）； ✅ 汽车电子辅助系统（符合AEC-Q101可靠性标准的版本可选，用于车窗升降、座椅调节、冷却风扇等12V车载负载控制）。 其TO-252封装便于PCB散热设计，配合合理布局可满足高效率、小体积需求。需注意：实际应用中应确保栅极驱动电压充足（推荐10 V以充分导通），并做好过流、过热及dv/dt保护设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD60N02RT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD60N02RT4OSDKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.5A （Ta）， 32A （Tc） |
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