Datasheet下载- 型号： NTD60N02R-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD60N02R-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD60N02R-1G价格参考。ON SemiconductorNTD60N02R-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD60N02R-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD60N02R-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD60N02R-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为12 mΩ @ Vgs=10V）、额定电压20V、连续漏极电流高达60A（Tc=25°C），具备良好的开关性能与热稳定性。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK变换器、POL（Point-of-Load）模块及多相VRM中，作为主开关或同步整流管，提升效率； ✅ 电机驱动：适用于小型直流有刷电机、步进电机驱动电路中的H桥下臂/上臂开关，尤其在电动工具、家电（如吸尘器、风扇）和机器人执行器中； ✅ 负载开关与电源管理：在电池供电设备（如便携式仪表、POS终端）中用作高效、低损耗的电源通断控制开关； ✅ LED驱动与照明系统：用于PWM调光控制回路中的高速开关器件； ✅ 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101可靠性标准（注：该型号为工业级，非车规；若需车规应用，应选用对应AEC-Q101认证型号，如NTD60N02R2G）。 其20V耐压和低Rds(on)特性使其特别适合低压大电流场景，但不适用于高于20V母线电压或需高雪崩耐量的严苛环境。设计时需注意PCB散热、栅极驱动能力及SOA（安全工作区）限制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD60N02R-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.5A （Ta）， 32A （Tc） |
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