Datasheet下载- 型号： NTD5803NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5803NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5803NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD5803NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD5803NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD5803NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5803NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（ID=60A）、耐压VDS=60V，以及快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源、同步整流BUCK/BOOST转换器中的主开关或同步整流管，提升效率并降低温升。 ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇驱动电路（如PC散热系统、工业风机），支持PWM调速与高效能控制。 ✅ 负载开关与电源管理：在主板、适配器、工业控制板中用作高侧/低侧负载开关，实现电源的软启、过流保护与热插拔控制。 ✅ LED照明驱动：用于恒流LED驱动电路中的开关器件，支持调光（PWM或模拟）及高可靠性运行。 ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证；该型号有车规版本NTD5803N-D，而NTD5803NT4G为工业级，常用于车载充电模块、车身控制等非安全关键场景）。 其DPAK封装兼顾散热性与贴装便利性，适合自动化生产；175°C结温保障了在高温环境下的稳定运行。综合来看，该器件适用于对效率、功率密度和成本敏感的中等功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 76A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD5803NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 76A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTD5803NT4G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商