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- 型号： NTD4N60T4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4N60T4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4N60T4价格参考。ON SemiconductorNTD4N60T4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4N60T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4N60T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4N60T4 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有600V漏源耐压（VDSS）、4A连续漏极电流（ID，TC=25°C）及典型导通电阻RDS(on)≈1.8Ω（VGS=10V）。其高耐压、中等电流与成熟封装特性，使其广泛应用于中低功率开关场景： - 开关电源（SMPS）：常见于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源辅助电路中的PFC（功率因数校正）后级或主功率开关（尤其在≤30W非隔离反激式设计中）； - 电机控制：适用于小功率直流电机（如风扇、电动工具、家电泵类）的H桥或单管驱动电路； - 照明电子：LED恒流驱动、调光电路及智能照明模块中的PWM高速开关元件； - 工业控制：PLC输出模块、继电器替代（固态开关）、电磁阀/加热丝等感性负载的驱动； - 消费电子：打印机、复印机电源管理、电池供电设备的电源切换与保护电路。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS），支持一定过压/过流瞬态，但需注意散热设计（TO-220需配散热片）及栅极驱动稳定性（推荐VGS≥10V以确保充分导通）。不适用于高频（>100kHz）或大电流（>5A）连续工作场景，同类更高性能需求可选NTD485N系列。
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