Datasheet下载- 型号： NTD4855N-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4855N-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4855N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4855N-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4855N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4855N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4855N-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 75 A）和优良的开关性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流Buck转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率有刷/无刷直流电机控制（如风扇、泵、电动工具），支持高频PWM调速； 3. 负载开关与电源管理：在主板、显卡、嵌入式系统中用作高效热插拔保护、电池供电切换或电源轨开关； 4. LED照明驱动：作为恒流源开关管，配合控制器实现高效率、低EMI的LED调光与驱动； 5. 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101可靠性标准（该型号为工业级，非车规版，但部分客户经验证可用于非安全关键车载应用，如车身控制模块、座椅调节等）。 该器件具备良好的雪崩耐量和ESD防护能力，配合优化的栅极电荷（Qg ≈ 42 nC），利于高频、低损耗开关设计。需注意：实际应用中应合理设计PCB散热焊盘、驱动电路及过流/过热保护机制，以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4855N-35G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2950pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.35W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 98A （Tc） |
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