Datasheet下载- 型号： NTD4810NHT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4810NHT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4810NHT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4810NHT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4810NHT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4810NHT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4810NHT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=76A，脉冲可达240A）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动电路，如电动工具、风扇、打印机等； 3. 负载开关与电源管理：在主板、显卡、嵌入式系统中作为高效、低损耗的电源通断控制开关； 4. LED照明驱动：用于恒流驱动电路或调光PWM开关，支持高频调光且热性能稳定； 5. 电池管理系统（BMS）：在便携设备或轻型储能系统中用作充放电保护开关。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、强雪崩耐量及RoHS合规等优势，适合对可靠性、效率和热管理要求较高的中高功率应用。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘并确保栅极驱动电压（推荐10V）充足，以充分发挥其低Rds(on)特性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4810NHT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1225pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 54A （Tc） |
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