Datasheet下载- 型号： NTD4809NH-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4809NH-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4809NH-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4809NH-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4809NH-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4809NH-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4809NH-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 9.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高阈值电压（VGS(th) 典型值2.5 V）、额定电压30 V、连续漏极电流达75 A（TC = 25°C），具备良好的开关速度与热稳定性。 该器件典型应用于中低压、高效率DC-DC电源转换场景，如： ✅ 同步整流BUCK转换器中的主开关或同步整流管（尤其适用于12 V输入、3.3/5/12 V输出的服务器/通信电源模块）； ✅ 电池供电设备的电源管理，如便携式工业终端、POS机、智能电表中的负载开关与过流保护电路； ✅ 电机驱动（如小型直流无刷电机或步进电机的H桥下臂开关）； ✅ LED恒流驱动电源中的PWM调光开关； ✅ 热插拔（Hot-swap）与电子保险丝（eFuse）电路，利用其快速开关特性实现浪涌抑制与短路保护。 其DPAK封装兼顾散热性能与PCB布局灵活性，适合空间受限但需中等功率处理能力的应用。需注意在高频开关时配合合理栅极驱动（避免振荡）及PCB铜箔散热设计以保障可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4809NH-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2155pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 58A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTD4809NH-1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商