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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTD4809N-35H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4809N-35H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4809N-35H价格参考。ON SemiconductorNTD4809N-35H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4809N-35H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4809N-35H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4809N-35H 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，虽常被归类于“晶体管 - FET”大类，但需注意：它并非射频（RF）专用MOSFET，而是面向中低压、高效率开关应用的通用功率MOSFET（典型VDS = 30 V，RDS(on) ≈ 3.5 mΩ @ VGS = 10 V）。其后缀“-35H”中的“35”指RDS(on)标称值（3.5 mΩ），"H"代表High Efficiency（高效率）封装优化。 该器件主要应用于直流-直流电源转换场景，如： ✅ 同步降压（Buck）转换器的下管（低侧开关），常见于笔记本电脑主板、显卡供电、通信设备板载电源； ✅ 负载开关（Load Switch），用于USB端口、电池保护电路或模块上电时序控制； ✅ 电机驱动（小功率有刷直流电机）、LED驱动及热插拔电路等中等电流（连续ID达75 A，脉冲可达240 A）、高频（≤1 MHz）开关场合。 因其低导通电阻与优化的栅极电荷（Qg ≈ 35 nC），可显著降低导通损耗与开关损耗，提升系统能效。但受限于结构与参数（如fT未针对射频优化、无匹配的S参数模型），不适用于射频放大、天线开关或GHz级高频信号处理等真正射频应用——若数据手册或平台误标为“射频MOSFET”，属分类偏差，应以官方规格书为准。
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