Datasheet下载- 型号： NTD30N02G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD30N02G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD30N02G价格参考。ON SemiconductorNTD30N02G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD30N02G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD30N02G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD30N02G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = 20 V、ID（连续）= 30 A（TC = 25°C）、RDS(on) ≈ 18 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通电阻、快速开关特性及良好的热稳定性。 该器件主要应用于中低压、中电流的直流电源管理与功率控制场景，典型用途包括： ✅ DC-DC转换器（如Buck电路中的同步整流或高边/低边开关）； ✅ 电机驱动电路（如小型直流风扇、步进电机或BLDC驱动的H桥下臂开关）； ✅ 负载开关与电源路径管理（如便携设备中的电池充放电保护、USB供电切换、热插拔控制）； ✅ LED驱动电源（恒流驱动中的PWM调光开关管）； ✅ 工业控制板与消费类电子电源模块（如打印机、机顶盒、网络设备中的次级侧稳压与过流保护开关）。 其20 V耐压和30 A电流能力适合工作在5–12 V系统电压下，配合逻辑电平兼容（VGS(th) ≈ 1.0–2.2 V），可直接由MCU或驱动IC（如5 V GPIO）驱动，无需额外电平转换，简化设计并提升效率。TO-252封装兼顾散热性与PCB空间，适用于自动化贴片生产。 注意：实际应用中需关注PCB铜箔散热设计、栅极驱动稳定性及SOA（安全工作区）限制，避免雪崩或热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD30N02G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta） |
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