Datasheet下载- 型号： NTD110N02RT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD110N02RT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD110N02RT4价格参考。ON SemiconductorNTD110N02RT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD110N02RT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD110N02RT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD110N02RT4 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = 20 V、RDS(on) ≈ 11 mΩ（@ VGS = 4.5 V）、ID（连续）达60 A（TC = 25°C），具备低导通电阻、快速开关特性及良好的热稳定性。 该器件主要应用于中低压、大电流直流电源管理场景，例如： ✅ DC-DC转换器（如Buck/Boost拓扑中的同步整流或主开关管），尤其适用于便携式设备、网络设备及工业电源的次级侧高效整流； ✅ 电池管理系统（BMS） 中的充放电保护与负载开关，凭借低RDS(on)减少发热，提升能效； ✅ 电机驱动电路（如小型直流风扇、步进电机驱动模块），用于H桥或单路PWM控制； ✅ LED驱动电源 及智能照明控制中的恒流开关； ✅ 电子负载、电源热插拔（Hot-swap）及过流保护模块 等需快速响应和高可靠性的应用。 其逻辑电平驱动能力（4.5 V即可充分导通）兼容3.3 V/5 V MCU或驱动IC，简化外围设计；TO-252封装兼顾散热性与PCB空间效率，适合紧凑型高功率密度布局。注意在实际应用中需合理设计PCB铜箔散热区并确保栅极驱动稳定，避免振荡与误开通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD110N02RT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3440pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD110N02RT4OSDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.5A （Ta）， 110A （Tc） |
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