Datasheet下载- 型号： NTB22N06T4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB22N06T4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB22N06T4价格参考。ON SemiconductorNTB22N06T4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB22N06T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB22N06T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB22N06T4 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，额定电压60V，连续漏极电流22A（Tc=25°C），导通电阻典型值仅45mΩ（VGS=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于中功率开关电源、AC-DC适配器的同步整流或主开关管，提升效率并减小体积； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇控制电路中的H桥或单边驱动开关； - 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护回路中的主控开关或负载开关，支持过流/短路保护功能； - LED照明驱动：在恒流LED驱动器中作为PWM调光开关或主功率开关； - 工业控制与自动化设备：如PLC输出模块、继电器替代方案、电磁阀驱动等需可靠通断能力的场合。 该器件具有雪崩耐量（Rugged Avalanche Rated），可承受一定感性负载关断时的反向尖峰电压，增强系统鲁棒性；同时兼容标准逻辑电平驱动（VGS(th) 2–4V），便于与MCU或驱动IC直接接口。注意实际应用中需合理设计PCB布局、散热（加装散热片）、栅极驱动（避免振荡）及过压/过热保护措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB22N06T4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB22N06T4OS |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
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