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- 型号： NTB18N06G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB18N06G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB18N06G价格参考。ON SemiconductorNTB18N06G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB18N06G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB18N06G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB18N06G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具有60V耐压、18A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅42mΩ @ Vgs=10V），并具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：广泛用于中功率降压（Buck）或同步整流电路，如通信设备、工业电源中的次级侧同步整流开关； ✅ 电机驱动控制：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或单路开关控制（如风扇、泵、电动工具驱动模块）； ✅ 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、智能电表、LED驱动电源中用作高效、低损耗的电子开关，实现上电时序控制或过流保护； ✅ 逆变器与UPS系统：在小功率离线式逆变器或后备电源中承担高频开关功能； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等非安全关键应用。 该器件支持10V逻辑电平驱动，兼容主流PWM控制器，配合优化的栅极电荷（Qg≈25nC）和快速开关特性（td(on)/td(off)约15ns/35ns），兼顾效率与EMI表现。使用时建议搭配适当散热设计（如PCB铜箔散热）及栅极驱动保护（如限流电阻、TVS钳位），以确保长期可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB18N06G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 48.4W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
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