Datasheet下载- 型号： NSVMMBT6520LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMBT6520LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMBT6520LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMBT6520LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMBT6520LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMBT6520LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMBT6520LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括： 1. 开关应用：该型号的 BJT 可用于各种开关电路中，例如电源管理模块、信号切换和负载控制等。它能够在低功耗条件下实现高效的开/关操作。 2. 放大器设计：由于其良好的增益特性和频率响应，NSVMMBT6520LT1G 适用于音频放大器、射频（RF）前端以及传感器信号放大的场合。 3. 电机驱动与控制：在小型直流电机或步进电机驱动电路中，这款晶体管可以作为驱动元件，提供必要的电流放大以启动或调节电机运转。 4. 保护电路：可用于过流保护、短路保护等安全机制的设计中，确保系统在异常情况下能够及时断开或限制电流流动。 5. 通信设备：在无线通信领域，此类型的晶体管常被用作混频器、振荡器或其他高频电路组件的一部分。 6. 消费电子产品：如遥控器、玩具、家用电器等需要简单而可靠电子控制的地方，都可以见到此类通用型 BJTs 的身影。 总之，NSVMMBT6520LT1G 凭借其出色的性能参数，在众多低至中功率需求的应用环境中表现出色，是工程师们进行电路设计时的一个理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 350V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMMBT6520LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 50mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50nA （ICBO） |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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