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- 型号： NSVF2250WT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVF2250WT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVF2250WT1G价格参考。ON SemiconductorNSVF2250WT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVF2250WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVF2250WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVF2250WT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），专为高频、高效率、低噪声应用优化。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信前端模块：适用于4G LTE及早期5G Sub-6 GHz频段（工作频率达2.5 GHz），常用于手机/基站的功率放大器（PA）末级或驱动级，支持高增益（fₜ ≈ 7 GHz）与良好线性度。 - 无线基础设施：在小型基站（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）中用作射频信号放大，满足紧凑封装（SOT-323/SC-70）与高可靠性需求。 - 物联网（IoT）与短距无线设备：适用于Wi-Fi（2.4 GHz）、Zigbee、蓝牙等2.4 GHz ISM频段的发射链路，兼顾低功耗与高效率（典型功率附加效率PAE > 40% @ 2.4 GHz）。 - 汽车无线系统：符合AEC-Q101车规认证，可用于车载遥控（RKE）、TPMS接收前端或V2X通信模块中的射频放大电路。 该器件采用硅工艺，具备优良的热稳定性和ESD防护能力（HBM ≥ 2 kV），支持DC–2.5 GHz宽带操作，典型偏置条件为VCE = 3 V、IC = 20 mA。其小型化SOT-323封装便于高密度PCB布局，适合对尺寸和功耗敏感的便携式与嵌入式射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVF2250WT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 频率-跃迁 | - |
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