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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS20501UW3TBG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS20501UW3TBG价格参考。ON SemiconductorNSS20501UW3TBG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS20501UW3TBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS20501UW3TBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSS20501UW3TBG 的晶体管属于 ON Semiconductor(安森美半导体) 生产的 双极型晶体管(BJT),其主要特性为单管结构,适用于高频率、高增益、低噪声等要求较高的模拟电路设计。 主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器: 由于该晶体管具有良好的高频响应和低噪声系数,常用于无线通信设备中的射频信号放大,如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线模块。 2. 低噪声放大器(LNA): 在接收端前端用于放大微弱信号,同时保持低噪声引入,适用于卫星通信、广播接收器和测试仪器。 3. 高频振荡器与混频器: 在射频和微波电路中用于信号生成与频率转换,广泛应用于通信系统和雷达模块。 4. 电源管理与开关电路: 可用于中低功率的开关控制,如DC-DC转换器或负载开关,实现快速响应和高效能管理。 5. 传感器信号调理电路: 在工业自动化和汽车电子中,用于放大传感器输出的微弱模拟信号,提升测量精度。 6. 消费类电子产品: 如智能家电、音频设备中的模拟信号处理部分,发挥其高增益和低失真特性。 该晶体管采用 SOT-323 封装,体积小、便于贴片安装,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子设备和高性能通信模块中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 20V 7A 3WDFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSS20501UW3TBG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 125mV @ 400mA,4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2A,2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 875mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率-跃迁 | 150MHz |