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  • 型号: NSS12601CF8T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12601CF8T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12601CF8T1G价格参考。ON SemiconductorNSS12601CF8T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS12601CF8T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS12601CF8T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的型号NSS12601CF8T1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于小信号晶体管类别。该器件采用紧凑的Surface Mount DFN1.6x1.6封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于空间受限的高效率应用。

主要应用场景包括:

1. 便携式电子设备:广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理、LED驱动及信号切换电路,得益于其小型化封装和低功耗特性。

2. 电源开关与负载控制:在DC-DC转换器、LDO使能控制或电池供电系统中作为开关元件,实现高效的电源通断控制。

3. 逻辑与信号切换:适用于数字逻辑电路中的电平转换、信号放大和开关功能,如微控制器与外围设备之间的接口驱动。

4. 消费类电子产品:常见于家电控制板、遥控器、传感器模块等,用于小电流信号放大或继电器/指示灯驱动。

5. 工业与汽车电子:在汽车信息娱乐系统、车身控制模块(如车灯控制)以及工业传感器中,提供可靠的开关性能,符合AEC-Q101汽车级认证,具备良好的温度稳定性和可靠性。

NSS12601CF8T1G具有最大集电极电流达1A,最大集射极电压为50V,增益带宽积高,适合高频开关操作。其无铅、无卤素设计也符合RoHS环保要求,适用于对环境标准要求较高的产品。

综上,该晶体管适用于需要小型化、高可靠性和高效开关性能的消费、工业及汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 12V 8A 1206A CHIPFET

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSS12601CF8T1G

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

120mV @ 400mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 1A,2V

产品目录页面

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供应商器件封装

ChipFET™

其它名称

NSS12601CF8T1GOSDKR

功率-最大值

830mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

140MHz

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