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产品简介:
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NSBC123JDXV6T5 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(含R1=2.2kΩ、R2=47kΩ),采用SOT-563(6引脚小尺寸封装),内含两个独立的NPN数字晶体管(Dual NPN Digital Transistor, DTA),具有集成基极-发射极和基极-集电极偏置电阻,简化外围电路设计。 典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与信号缓冲:在MCU(如STM32、PIC)I/O口驱动能力不足时,用于将3.3V/5V TTL/CMOS逻辑信号可靠转换为更高电流输出,驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极; 2. LED驱动阵列:因其双通道结构及内置限流电阻,常用于8段数码管、多路LED指示灯或背光控制,节省PCB空间与BOM成本; 3. 开关电源辅助控制:在AC-DC或DC-DC电源中,用于反馈环路中的光耦输入侧开关、待机控制信号隔离或使能(EN)信号调理; 4. 工业I/O模块:作为PLC数字输入接口的前端信号整形与电平适配器件,提高抗干扰能力; 5. 消费电子待机电路:如TV、机顶盒中用于检测红外遥控信号或实现低功耗唤醒功能。 该器件具备高增益(hFE典型值160)、低饱和压降(VCE(sat) ≤ 0.3V @ IC = 10mA)、宽工作温度范围(–55°C 至 +150°C)及AEC-Q101认证(适用于汽车级应用),兼顾可靠性与成本效益。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123JDXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC123JDXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |