图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EPDXV6T5由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EPDXV6T5价格参考。ON SemiconductorNSBC114EPDXV6T5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC114EPDXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114EPDXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114EPDXV6T5 是安森美(ON Semiconductor)推出的数字晶体管(Digital Transistor, DTR),内置基极-发射极电阻(R1=10 kΩ)和基极-集电极电阻(R2=10 kΩ),采用SOT-563(SC-89)超小型封装,具有ESD保护。虽常归类于“BJT单管”,但其本质是带集成偏置电阻的NPN型数字晶体管,专为简化开关驱动设计。 典型应用场景包括: 🔹 逻辑电平接口转换:将MCU(如3.3V/5V GPIO)输出直接驱动负载,无需外置基极电阻,提升PCB空间利用率与可靠性; 🔹 LED驱动:用于背光控制、状态指示灯等中小电流(Ic ≤ 100 mA)开关应用; 🔹 继电器/蜂鸣器驱动:作为低功耗电磁负载的开关级,提供稳定饱和导通; 🔹 电源管理信号控制:如LDO使能(EN)、复位信号调理、电池电量检测电路中的电平切换; 🔹 便携式与空间受限设备:得益于SOT-563超小尺寸(1.6×1.6×0.6 mm)和无铅、符合RoHS标准,广泛用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备及IoT传感器节点等。 该器件具备高直流电流增益(hFE = 35–50 @ Ic = 5 mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≤ 0.3 V @ Ic = 10 mA),支持-55°C 至 +150°C宽温工作,兼具成本效益与设计简洁性,适用于对体积、功耗和BOM精简有严苛要求的消费电子与工业控制场景。