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- 型号： NP90N03VUG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP90N03VUG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP90N03VUG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP90N03VUG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP90N03VUG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP90N03VUG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP90N03VUG-E1-AY 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装VSON-8封装（3.3 mm × 3.3 mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 90 A）及优良的热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并减小散热需求； - 电机驱动：适用于中小功率有刷/无刷直流电机控制（如风扇、泵、电动工具驱动模块），支持高频PWM开关； - 负载开关与电源管理：在主板、显卡、嵌入式系统中用作高效、快速响应的电源通断控制（e.g., CPU/GPU供电轨的热插拔保护）； - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径的主控开关或保护电路，配合保护IC实现过流/短路防护； - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动或调光电路中作为功率开关元件。 该器件具备AEC-Q101可靠性认证（注：需确认具体批次是否符合——E1-AY后缀通常对应车规级版本），因此亦可拓展至车载信息娱乐系统、ADAS辅助电源等对可靠性要求较高的汽车电子场景。其小尺寸与高功率密度特性，特别适合空间受限且需高能效的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 90A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP90N03VUG-E1-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 45A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | NP90N03VUG-E1-AY-ND |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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