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- 型号： NP82N055NUG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP82N055NUG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP82N055NUG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP82N055NUG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP82N055NUG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP82N055NUG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP82N055NUG-S18-AY 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道增强型功率MOSFET（单管），采用U-MOSIX-H工艺，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅约5.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=82A）及优良的开关性能。其封装为TO-263（D²PAK）带散热焊盘，适合中高功率应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：如服务器/通信设备中的同步降压（Buck）转换器主开关或同步整流管，凭借低Rds(on)和快速开关特性提升效率与功率密度； ✅ 电机驱动系统：用于工业变频器、电动工具、无人机电调（ESC）中的H桥上/下臂开关，支持高频PWM控制与大电流持续导通； ✅ 电源模块与UPS：作为逆变级或电池保护电路中的主功率开关，具备雪崩耐量（UIS Rated），可靠性高； ✅ 车载电子辅助系统：符合AEC-Q101应力测试标准（注：需确认具体批次认证状态），适用于车载DC/DC、LED车灯驱动、座椅/车窗控制等12V/24V系统。 该器件强调热性能与鲁棒性，适用于空间受限但需高效散热的设计。使用时建议搭配优化的PCB铜箔散热设计及合理栅极驱动（避免振荡与过压）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 82A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP82N055NUG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 41A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 82A （Tc） |
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