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- 型号： NP82N04MDG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP82N04MDG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP82N04MDG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP82N04MDG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP82N04MDG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP82N04MDG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP82N04MDG-S18-AY 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有82A连续漏极电流、40V耐压、低导通电阻（典型Rds(on) ≈ 3.0mΩ @ Vgs=10V）及快速开关特性。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备中的同步降压（Buck）转换器的高边或低边开关，尤其适配高效率、高功率密度设计； - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇驱动等，支持高频PWM调速； - 电池管理系统（BMS）：用于锂电池组的充放电保护电路（如过流/短路保护开关）、电池均衡模块的主控开关； - 工业电源与LED驱动：在大电流恒流LED驱动电源中作主功率开关，或PLC输出级负载驱动； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认该具体批次是否通过车规认证），可用于车载DC-DC模块、座椅/车窗控制单元等非安全关键应用。 该器件具备良好的热性能（θJA ≈ 50°C/W）和雪崩耐量，支持表面贴装，适合自动化生产。实际选型时需结合驱动电压（推荐Vgs ≥ 8V以确保充分导通）、PCB散热设计及系统EMI要求综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP82N04MDG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 41A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 900 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 82A （Tc） |
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