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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N055MDG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N055MDG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N055MDG-S18-AY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NP80N055MDG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NP80N055MDG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP80N055MDG-S18-AY 是一款由华润微电子(CRMicro)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装,具有80A连续漏极电流、55V耐压、典型导通电阻Rds(on)低至3.8mΩ(Vgs=10V),具备高效率、低热阻和优良开关特性。 该器件主要应用于中大功率直流供电与功率控制场景,典型用途包括: ✅ 电动工具驱动——作为BLDC电机的下桥臂开关,支持高频PWM调速与大电流瞬态响应; ✅ 服务器/通信电源——用于同步整流、DC-DC降压转换器(如POL模块)的主开关管,提升能效并降低温升; ✅ 工业电源与UPS系统——在半桥/全桥拓扑中承担高频开关任务,兼顾效率与可靠性; ✅ 车载辅助电源(非主驱)——如车载OBC辅助电源、12V/48V DC-DC转换,满足AEC-Q101应力测试要求(注:需确认具体批次是否通过车规认证); ✅ 智能家电变频模块——空调压缩机、洗衣机变频驱动中的功率开关单元。 其S18-AY后缀表明为优化版工艺(如更低Qg、更快开关速度),适合对开关损耗敏感的应用。设计时建议配合低感PCB布局、合理栅极驱动(推荐12–15V驱动电压)及充分散热(如敷铜面积≥20cm²或加装散热片)。 (注:实际选型请以华润微官方最新数据手册为准,并完成EMC与热仿真验证。)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP80N055MDG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.9 毫欧 @ 40A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |