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- 型号： NP80N04NHE-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N04NHE-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N04NHE-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N04NHE-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP80N04NHE-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP80N04NHE-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP80N04NHE-S18-AY 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，额定参数为80A/40V，采用TO-220封装（S18为封装代号），具备低导通电阻（Rds(on)典型值约3.5mΩ）、高电流承载能力及优良的开关性能。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于车载充电机（OBC）、通信电源、服务器VRM等中大功率BUCK/BOOST电路中，作为主开关管，提升转换效率； ✅ 电机驱动：适用于电动工具、无人机电调、小功率BLDC电机控制器中的H桥上/下臂开关，支持高频PWM驱动； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作电池保护板中的充放电主控MOSFET，配合保护IC实现过流、短路、反接保护； ✅ 工业控制与LED驱动：在智能照明恒流驱动、PLC输出模块、电磁阀/继电器驱动等场景中，提供可靠通断控制； ✅ 新能源应用：如光伏汇流箱直流侧开关、储能系统双向变换器（需配对使用）等对导通损耗和热稳定性要求较高的场合。 该器件具备良好的雪崩耐量（UIS）、175℃结温能力及RoHS合规性，适合在中高负载、中频（≤100kHz）工况下长期稳定运行。注意实际应用中需合理设计PCB散热焊盘、栅极驱动（推荐12V驱动以确保充分饱和）及过压/EMI防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP80N04NHE-S18-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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