Datasheet下载- 型号： NP180N04TUG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP180N04TUG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP180N04TUG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP180N04TUG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP180N04TUG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP180N04TUG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP180N04TUG-E1-AY 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（HSOF8），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.8 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=180A）及优化的开关特性。其主要应用场景包括： - 汽车电子系统：符合AEC-Q101标准，适用于车载DC/DC转换器、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的高压侧/低压侧开关。 - 工业电源与电机驱动：用于服务器/通信设备的高效同步整流、工业PLC电源、伺服驱动器的H桥输出级，以及中小功率无刷直流（BLDC）电机控制。 - 消费类高能效设备：如高端笔记本电脑适配器、USB PD快充方案中的主开关管或同步整流管，兼顾高效率与紧凑设计。 该器件支持10V逻辑电平驱动，具备强抗雪崩能力和内置ESD保护，适合高频（数十kHz至数百kHz）、中高功率（数十瓦至数百瓦）的硬开关应用，强调可靠性、热性能与空间节省。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP180N04TUG-E1-AY |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 390nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 毫欧 @ 90A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180A （Tc） |
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