Datasheet下载- 型号： NGTB30N120IHSWG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB30N120IHSWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB30N120IHSWG价格参考。ON SemiconductorNGTB30N120IHSWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB30N120IHSWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB30N120IHSWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGTB30N120IHSWG 是安森美（ON Semiconductor）推出的1200V、30A高可靠性IGBT单管，采用IHSS（Insulated Housing Surface Mount）封装，具备增强型电气隔离、低热阻和优异的短路耐受能力（典型tSC ≥ 3μs）。其典型应用场景包括： - 工业变频驱动：用于中功率（约5–15 kW）通用变频器、伺服驱动器及PLC控制电机系统，尤其适用于对EMI敏感、需高可靠性的产线设备； - 新能源发电系统：作为光伏逆变器（集中式/组串式）中的DC-AC升压与逆变级开关器件，支持高效MPPT跟踪与并网； - 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级中提供快速开关与低导通损耗，提升整机效率与动态响应； - 感应加热与焊接电源：适用于中频（20–100 kHz）谐振拓扑，凭借其软关断特性与高dv/dt抗扰性，保障系统稳定运行； - 电动汽车车载充电机（OBC）与DC-DC转换器：在部分高功率等级（如6.6 kW以上）OBC的PFC或LLC次级侧应用，兼顾效率与安全性。 该器件内置反并联快恢复二极管（FRD），优化换流性能；IHSS封装支持PCB直焊与绝缘安装，简化散热设计，适合严苛工业环境。需配合合适栅极驱动（推荐±15 V驱动电压、峰值电流≥2 A）及RC缓冲电路以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/210ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 1200V 30A TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 220nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NGTB30N120IHSWG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1mJ（关） |
| TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
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