ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC114EM,315
Datasheet下载- 型号： PDTC114EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114EM,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3。您可以下载PDTC114EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC114EM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置偏置电阻的 NPN 型数字晶体管（Digital Transistor），集成了 R1=10 kΩ（基极-输入）和 R2=10 kΩ（基极-发射极）的贴片偏置电阻。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平接口转换：用于微控制器（如 MCU、GPIO）与较高电压/电流负载（如继电器、LED、小型电机）之间的信号隔离与驱动，简化外围电路设计，无需外接偏置电阻。 2. 开关控制应用：广泛应用于消费电子（如电视、机顶盒、打印机）、工业控制板及汽车电子模块中，作为低功耗、高可靠性的电子开关，实现电源通断或信号选通。 3. 数字信号缓冲/反相：利用其饱和导通特性，可构成简单的反相器或信号整形单元，适用于时序要求不苛刻的数字电路。 4. LED 驱动与状态指示：直接驱动单颗或多颗串联 LED（限流由内部/外部电阻配合实现），常见于面板指示灯、状态提示电路。 该器件采用 SOT-323 小型封装，具备低输入驱动电流（典型 Ib=10 µA 即可饱和）、高直流电流增益（hFE 达 160@Ic=10 mA）、快速开关特性及良好的温度稳定性，适合空间受限、成本敏感且需高集成度的便携式与嵌入式系统。符合 AEC-Q101（汽车级）标准，亦可用于车用舒适性电子（如车窗控制、灯光管理）等非安全关键场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114EM,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC114EM,315 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 934057170315 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 封装/箱体 | SC-101-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC114EM T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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