Datasheet下载- 型号： NGB8207NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8207NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8207NT4G价格参考。ON SemiconductorNGB8207NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB8207NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB8207NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8207NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用TO-247-3L封装，额定电压600V、电流20A（连续），具备低导通压降（VCE(sat)典型值1.5V @ IC=20A）和快速开关特性，内置续流二极管优化，适用于中高功率硬开关应用。 其典型应用场景包括： • 工业变频器与电机驱动：用于三相逆变桥臂，驱动中小功率交流电机（如风机、水泵、压缩机），兼顾效率与热稳定性； • 感应加热设备：在20–50kHz工作频段下实现高效能量转换，满足电磁炉、商用加热系统对动态响应和可靠性的要求； • 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：作为DC-AC主功率开关，支持高频PWM调制，提升系统能效与功率密度； • 电焊机电源模块：在非连续负载工况下提供稳定电流输出与过载保护能力； • 电动汽车车载充电机（OBC）辅助电源或PFC级：适用于600V母线系统，配合驱动IC实现紧凑型设计。 该器件强调鲁棒性（短路耐受时间≥2μs）与温度稳定性，适合-40℃~175℃结温范围运行，广泛应用于对可靠性、成本与性能平衡要求较高的工业及新能源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 365V 20A 165W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8207NT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 4V，20A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 365V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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