Datasheet下载- 型号： NGB8206NG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8206NG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8206NG价格参考。ON SemiconductorNGB8206NG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB8206NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB8206NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8206NG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - UGBT（Ultra Low Vgs Bipolar Transistor）系列。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 NGB8206NG 的低导通电阻特性使其非常适合用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、负载开关等。它能够有效降低功率损耗，提高系统效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中，NGB8206NG 可作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和低 Rds(on) 有助于减少发热并提升驱动性能。 3. 电池管理系统 (BMS) 该器件适用于电池保护电路，用于控制电池充放电路径。通过精确的开关控制，它可以防止过充、过放或短路等问题，从而保护电池组的安全性。 4. 负载切换与保护 在消费电子设备中，NGB8206NG 常被用作负载切换开关，实现对不同负载的动态控制。同时，它还可以集成到保护电路中，提供过流保护和短路保护功能。 5. 音频放大器 在一些低功率音频放大器中，NGB8206NG 可作为输出级开关元件，确保音频信号的高保真传输，同时减少功耗。 6. 通信设备 在无线通信模块或物联网设备中，该 MOSFET 可用于信号切换和电源管理，支持设备的低功耗运行。 7. 汽车电子 尽管 NGB8206NG 主要针对消费类和工业应用，但在某些非关键车载应用中（如车灯控制、风扇控制等），它也可以发挥重要作用。 总结来说，NGB8206NG 的应用场景集中在需要高效开关、低功耗和紧凑设计的领域，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及便携式电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 390V 20A 150W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8206NG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 390V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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