Datasheet下载- 型号： NE85633-R25-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633-R25-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633-R25-A价格参考。CELNE85633-R25-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE85633-R25-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85633-R25-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE85633-R25-A 是由品牌 CEL 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗（SiGe）NPN 型晶体管。该器件专为高频、低噪声放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信设备：适用于蜂窝基站、微波链路和点对点通信系统中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器，工作频率可达数GHz，适合UHF至微波频段。 2. 卫星通信：因具备优良的噪声系数和高增益特性，常用于低噪声前端接收模块，提升信号接收灵敏度。 3. 雷达系统：在毫米波雷达或远程探测系统中作为射频放大元件，支持高线性度与稳定增益输出。 4. 测试与测量仪器：用于频谱分析仪、信号发生器等高端电子测试设备中的射频信号放大与处理电路。 5. 宽带基础设施：适用于5G网络基础设施中的射频模块，支持高速数据传输需求。 NE85633-R25-A 采用小型化表面贴装封装（如SOT-343），便于高密度PCB布局，同时具有良好的热稳定性和可靠性。其-25℃至+85℃的工作温度范围也使其适用于较严苛的工业环境。整体而言，该晶体管适合需要高频性能、低功耗与高可靠性的射频模拟电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23射频双极晶体管 NPN High Frequency |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85633-R25-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE85633-R25-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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