图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NE5500234-T1-AZ
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5500234-T1-AZ由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5500234-T1-AZ价格参考￥14.56-￥14.56。CELNE5500234-T1-AZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE5500234-T1-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE5500234-T1-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE5500234-T1-AZ 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的射频MOSFET晶体管，专为高频、高效率射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：适用于4G LTE及部分5G Sub-6 GHz频段（工作频率可达2.7 GHz），用于宏基站或小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率要求。 - 无线基础设施设备：如中继器、分布式天线系统（DAS）、直放站等，需宽频带、高增益和良好热稳定性的射频功放模块。 - 工业与民用射频系统：包括RFID读写器、无线麦克风、业余无线电（HAM Radio）发射模块及ISM频段（如900 MHz、2.4 GHz）设备中的功率放大级。 该器件采用高可靠性SOT-89封装，具备低热阻、高功率增益（典型Gps > 12 dB @ 2.14 GHz）、高输出功率（Pout ≈ 2.5 W @ 2.14 GHz, 28 V）及优良的功率附加效率（PAE ≈ 55%），适合中等功率射频发射场景。其增强型硅基LDMOS工艺保障了良好的温度稳定性与长期可靠性。 注：该型号已停产（NRND状态），当前多被瑞萨新一代RF GaN或优化LDMOS器件替代，新设计建议参考Renewal型号（如NE5500235系列）并查阅最新数据手册。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NE5500234-T1-AZ 相关产品
.jpg)
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商