Datasheet下载- 型号： NE3520S03-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3520S03-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3520S03-A价格参考。CELNE3520S03-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3520S03-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3520S03-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE3520S03-A、品牌为CEL的射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高性能射频晶体管，主要应用于高频信号放大场景。该器件采用pHEMT（伪高电子迁移率晶体管）技术，具有低噪声、高增益和优良的高频特性，适用于微波和射频领域。 典型应用场景包括： 1. 无线通信系统：用于基站、微波中继通信和点对点无线链路中的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，工作频率通常在2–6 GHz范围，适合Wi-Fi 6、5G小基站等设备。 2. 卫星通信：在低功率射频前端模块中作为信号接收放大器，提升接收灵敏度。 3. 雷达系统：应用于民用雷达或短距离探测设备中的射频放大单元，尤其适合需要高线性度和稳定性的场合。 4. 测试与测量仪器：用于频谱分析仪、信号发生器等设备的射频信号处理电路中，确保信号完整性。 NE3520S03-A采用小型化表面贴装封装（如SC-70或类似），适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其低功耗特性也使其适用于便携式或远程部署的射频设备。整体而言，该器件广泛服务于需要高效、低噪声射频放大的现代通信与电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE3520S03-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | S03 |
| 其它名称 | NE3520S03A |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | 0.65dB |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | HFET |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 20GHz |
| 额定电流 | 70mA |
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