Datasheet下载- 型号： NE3503M04-T2B-A
- 制造商： NEC
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3503M04-T2B-A由NEC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3503M04-T2B-A价格参考。NECNE3503M04-T2B-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3503M04-T2B-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3503M04-T2B-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE3503M04-T2B-A 是由品牌 CEL（Sanyo Semiconductor）生产的一款射频场效应晶体管（RF FET），属于MOSFET类别，主要用于高频信号放大和射频功率应用。该器件采用增强型pHEMT（伪高电子迁移率晶体管）工艺制造，具有低噪声、高增益和优异的高频性能，适用于2.4 GHz至3.8 GHz频段。 典型应用场景包括：无线通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）、微波通信系统、Wi-Fi 6（802.11ax）设备、小型基站（Small Cell）、物联网（IoT）网关以及点对点无线传输系统。其高线性度和稳定增益特性，使其在需要高质量信号处理的环境中表现优异。此外，该器件封装紧凑，适合高密度PCB布局，广泛用于空间受限的射频模块设计中。 由于具备良好的抗静电能力和温度稳定性，NE3503M04-T2B-A 在工业级工作环境下也能可靠运行，适用于要求高性能和长期稳定性的无线设备。总之，这是一款面向现代宽带无线通信系统的高性能射频MOSFET，特别适合5G前传网络、智能城市无线节点及企业级无线接入点等应用。
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