【未分类_NDD05N50Z-1G9】封装/厂家_NDD05N50Z-1G9中文资料_价格

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型号： NDD05N50Z-1G9
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NDD05N50Z-1G9由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD05N50Z-1G9价格参考。ON SemiconductorNDD05N50Z-1G9封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NDD05N50Z-1G9参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD05N50Z-1G9 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NDD05N50Z-1G9 是安森美（ON Semiconductor）推出的高压、低导通电阻N沟道功率MOSFET，属于射频（RF）类MOSFET产品线（注：需澄清——该型号实际为通用高压功率MOSFET，非严格意义上的射频MOSFET；其“RF”分类可能源于早期目录归类或误标，实测参数更适用于开关电源而非高频射频放大）。其典型参数包括：V_DSS = 500 V，R_DS(on) ≈ 1.4 Ω（@ V_GS = 10 V），I_D = 5 A，采用TO-220封装。

主要应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源、工业电源中的主开关管；  
✅ 电机控制：小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速开关；  
✅ 逆变器与UPS系统：用于DC-AC转换级的中压功率开关；  
✅ 家电与工业控制：电磁炉、电焊机、PLC输出模块等需500V耐压、中等电流切换的场合。  

注意：该器件不具备射频放大所需的高f_T（截止频率）、低栅极电荷（Q_g）及优化的S参数特性，不适用于MHz–GHz频段的射频功放、天线开关或无线通信前端。若设计涉及射频应用，应选用ON Semi专为RF优化的型号（如MRF系列或RFDMOS产品）。  

综上，NDD05N50Z-1G9是面向中高频开关（数十kHz至数百kHz）、高电压、中等功率场景的通用型功率MOSFET，强调鲁棒性与成本效益。

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